BC337 Transistor BJT NPN 45V - 800mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 800mA o que requieran tensiones de hasta 45VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 630. 

Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y driver

Principales Características: 

• Tipo de Encapsulado: TO-92
• Transistor complementario BC327, BC328
• Transistor equivalente a NTE123AP, CTBC337-25, BC337-25, BC33725, ST-BC337-25, BC338
• Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector - Emisor (VCE): 45V
• Voltaje Colector - Base (VCB): 50V
• Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
• Corriente Colector (IC): 800mA
• Potencia Máxima Disipada (PD): 625mW
• Ganancia Máxima (hFE): 630
• Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 210 MHz